士蘭微SiC MOSFET產品榮獲2025中國創新IC“創新突破獎”

2025年7月11日-12日，“第五屆中國集成電路設計創新大會”（ICDIA 創芯展）在蘇州成功召開。大會期間，由中國集成電路設計創新聯盟組織開展的“2025中國創新IC-強芯評選”頒獎典禮隆重舉行。士蘭微電子SiC MOSFET產品SCDP120R007NB2CPW4榮獲2025中國創新IC“創新突破獎”。

“強芯評選”旨在推動自主芯片創新應用，在全國范圍內評選技術領先、競爭力強、質量可靠的創新IC 產品，為系統整機、品牌終端、 用戶單位提供國產優質芯片應用選型，以此深度挖掘中國芯領先產品，共建自主產業生態。其作為一年一度的國產IC推優平臺，對我國自主集成電路產業創新具有重要意義。

SCDP120R007NB2CPW4

士蘭微電子SCDP120R007NB2CPW4 （1200V  7mΩ，TO-247Plus-4L）是一款N溝道增強型高壓功率MOSFET，采用公司碳化硅自主工藝技術，具有極低的導通電阻（RDS(on)(typ.)=5.5mΩ）、傳導損耗和開關損耗，具有較高的功率密度，能提供最佳的熱性能。

士蘭微“一體化”戰略

近年來，士蘭微電子深入實施“一體化”戰略，通過持續推出富有競爭力的產品，持續加大對大型白電、汽車、新能源、工業、通訊和算力等高門檻市場的拓展力度，公司總體營收保持了較快的增長勢頭。同時，公司非常重視SiC產品的開發和應用。

在碳化硅產品方面，士蘭微已搭建起包含晶圓、分立器件、模組在內的多元產品矩陣，全面覆蓋汽車主驅、汽車熱管理、光伏儲能、充電樁、AI服務器、工業電源等應用領域，在多家頭部客戶實現項目批量交付。當前士蘭第二代碳化硅產品已實現穩定交付，備受期待的第四代碳化硅產品也計劃于今年正式推出。

在碳化硅產能建設方面，2025年士蘭廈門碳化硅8英寸生產線將實現通線并投產，這一突破將大幅提升生產效率與規模。未來，士蘭微將依托技術與產能的雙重升級，為客戶提供更高品質，更多元化的碳化硅產品，持續為功率半導體國產化進程注入綠色動能。